对于高速链路,需要考虑 TVS 管结电容的要求
2023-12-28 12:11:59
TVS管,即瞬态电压抑制器,是一种用于保护电路免受瞬态过电压损害的半导体器件。在高速链路(如USB、HDMI、以太网等)中,TVS管被广泛用于抑制外部电涌、静电放电(ESD)等引起的瞬态电压,以保护敏感的电子组件。
TVS管的结电容:是在TVS管的PN结上形成的固有电容。这个电容是由于PN结的耗尽区内电荷分布而产生的,并且它的大小与TVS管的设计、制造工艺以及反向偏置电压有关。
补充: PN结是半导体器件中的一个基本构成部分,它由一个P型半导体和一个N型半导体紧密接触形成。P型半导体是含有正电荷载流子(空穴)的半导体材料,而N型半导体则是含有负电荷载流子(电子)的半导体材料。当这两种材料结合在一起时,它们在接触界面处形成了一个PN结。
PN结的基本特性和工作原理如下:
1、形成耗尽区:当P型和N型半导体材料结合时,由于浓度梯度,P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子开始向对方扩散。这种扩散导致了在接触界面附近形成一个无多余载流子(即空穴和电子都不多)的区域,这个区域被称为耗尽区。耗尽区的存在导致了一个内建电场的形成,该电场阻止了进一步的载流子扩散。
2、内建电压:耗尽区中的电场形成了一个内建电压(Built-in Voltage),它的方向是
文章来源:https://blog.csdn.net/weixin_66642980/article/details/135258336
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