IPD30N06S4L-23-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析

2024-01-10 10:29:57

**IPD30N06S4L-23-VB 详细参数说明:**

- **品牌:** VBsemi
- **型号:** IPD30N06S4L-23-VB
- **丝印:** VBE1638
- **封装:** TO252
- **类型:** N-Channel 沟道 MOSFET
- **电压等级:** 60V
- **电流等级:** 45A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源电压阈值(Vth):** 1.8V

**应用简介:**

IPD30N06S4L-23-VB是一款TO252封装的N-Channel沟道MOSFET。具有高电压(60V)、高电流容量(45A)和低导通电阻(24mΩ),适用于高性能电子模块。

**应用领域:**

1. **电源模块:** 用于开关电源和稳压器,提供高效率的电源转换。

2. **电机控制:** 作为电机驱动器的一部分,实现对电机的有效控制。

3. **逆变器:** 用于逆变器电路,将直流电源转换为交流电源。

**作用:**

- 提供高效率的电源转换。
- 实现对电机的有效控制。
- 在逆变器电路中实现直流到交流的转换。

**使用注意事项:**

1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的电压和电流限制,以免损坏器件。

2. **散热:** 在高功率应用中,需要适当的散热措施,确保器件在正常工作温度范围内。

3. **防静电措施:** 在处理和安装过程中采取防静电措施,以防止静电放电对器件造成损害。

以上为简要说明,具体的设计和应用需根据具体模块和电路要求进行。

文章来源:https://blog.csdn.net/VBsemi/article/details/135478942
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