W25Q128

2023-12-22 23:59:33

什么是 W25Q128

W25Q128是一款由Winbond(威邦电子)公司生产的闪存存储器芯片,属于串行闪存系列。具体来说,W25Q128是一颗128Mb(兆位)容量的串行闪存芯片,其中"W"代表Winbond,"25"表示该系列产品的家族编号,"Q"表示是串行闪存,而"128"表示存储容量为128Mb。

以下是W25Q128的一些基本特性:

  1. 容量: 128Mb,即16MB(兆字节)。
  2. 接口: 串行外围接口(SPI)。
  3. 工作电压: 2.7V至3.6V。
  4. 时钟频率: 支持高达104MHz的串行时钟。
  5. 扇区结构: 分为若干个扇区,每个扇区可擦写和读取。

这种类型的闪存通常用于存储程序代码、数据以及其他需要在系统断电时保持的信息。SPI闪存广泛应用于嵌入式系统、单片机、存储卡、电子设备等领域,因为它具有高速、低功耗、易于集成等优点。

  • Flash 是常用的用于储存数据的半导体器件,它具有容量大,可重复擦写、按扇区/擦除、掉电后数据可继续保存的特性。
  • Flash 是有一个物理特性:只能写 0 ,不能写 1 ,写 1 靠擦除。
  • 不同类型的Flash存储器包括 NOR Flash 和 NAND Flash,它们在结构和应用方面有一些区别。 NOR Flash 通常用于存储代码,而 NAND Flash 更适用于大容量数据存储。?

W25Q128 存储架构?

  1. 扇区(Sector): W25Q128通常将存储空间划分为多个扇区,每个扇区的大小通常为4KB。每个扇区都有一个唯一的地址,可以单独进行擦写和擦除操作。

  2. 块(Block): 扇区可以组合成块,具体块的大小可能是多个扇区的整数倍。擦写和擦除操作通常以块为单位执行。

  3. 页(Page): 每个扇区通常分为多个页,每页的大小通常为256字节。写入操作通常以页为单位进行,即每次写入的数据不可超过一页的大小。

这种存储架构的分层设计使得存储器在擦写和擦除时可以更加灵活,而不必对整个存储器进行操作。这是为了减少擦写和擦除操作对存储器的寿命产生的影响,因为这两种操作通常是有限次数的。

一般按扇区( 4k )进行擦除。
可以按 章 -- -- -- 字 进行理解。
W25Q128 常用指令
W25Q128 全部指令非常多,但常用的如下几个指令:

?

写使能 (06H)
执行页写,扇区擦除,块擦除,片擦除,写状态寄存器等指令前,需要写使能。
拉低 CS 片选 发送 06H → 拉高 CS 片选
读状态寄存器( 05H
拉低 CS 片选 发送 05H→ 返回 SR1 的值 拉高 CS 片选
读时序( 03H
拉低 CS 片选 发送 03H→ 发送 24 位地址 读取数据( 1~n 拉高 CS 片选
页写时序 (02H)
页写命令最多可以向 FLASH 传输 256 个字节的数据。
拉低 CS 片选 发送 02H→ 发送 24 位地址 发送数据( 1~n 拉高 CS 片选
扇区擦除时序( 20H
写入数据前,检查内存空间是否全部都是 0XFF ,不满足需擦除。
拉低 CS 片选 发送 20H→ 发送 24 位地址 拉高 CS 片选

W25Q128 状态寄存器

W25Q128 一共有 3 个状态寄存器,它们的作用是跟踪芯片的状态。
其中,状态寄存器 1 较为常用。

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BUSY :指示当前的状态, 0 表示空闲, 1 表示忙碌 WEL :写使能锁定,为 1 时,可以操作页 /
/ 块。为 0 时,写禁止。

?

W25Q128 常见操作流程
以下流程省略了拉低 / 拉高片选信号 CS
读操作:

擦除扇区: ?

?

写操作?

?

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文章来源:https://blog.csdn.net/qq_61391875/article/details/135159223
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