数集 - 240109 - 数集期末速成
2024-01-09 17:36:36
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- 复习提纲
1、静态逻辑设计和晶体管尺寸设计
2、逻辑组合速度估算
3、传输门规则和设计、动态pmos,nmos设计及输出波形
4、第三章涉及的工艺流程
5、时序电路的时序分析
6、全加器和乘法器设计
7、非挥发存储单元设计和分析。
8、第五章计算题
复习内容参考分段考核资料、课件和作业题。
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- // – 第3章 MOS集成电路中的元件形成及寄生效应 – //
- 光刻:涂胶、掩膜对准、曝光、显影、刻蚀、去胶
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- // – 第5章 MOS晶体管基本原理与MOS反相器电路 – //
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- // – 第6章 CMOS静态逻辑门电路 – //
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- - // – 第7章 传输门逻辑 – //
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- // – 第8章 时序逻辑电路 – //
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- // – 第9章 MOS逻辑功能部件 – //
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- // – 第10章 半导体存储器 – //
- <占个坑>
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实现细节
- 无
参考示意图
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阶段1 -
阶段2 -
阶段3 -
阶段4
参考链接
- 无
作者 | 乐意奥AI
文章来源:https://blog.csdn.net/CodeToLiao/article/details/135442889
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